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预计明年封装测试中心投产,光库科技铌酸锂高速调制器芯片项目封顶
2021/09/07 点击 1806 次

中国粉体网讯  8月31日,光库科技铌酸锂高速调制器芯片研发及产业化项目封顶仪式在广东珠海举行。

光库科技消息显示,光库科技铌酸锂高速调制器芯片研发及产业化项目投资总额5.85亿元,总建筑面积约4万平方米,预计2022年封装测试中心投产。项目主要包括芯片生产中心、封装测试中心和研发中心,其落成将填补国内高端光芯片空白并助力国家“新基建”,彻底解决光通讯产业“缺芯少核”的卡脖子难题,同时为大湾区光学芯片产业做好补链和积累。

去年12月10日,光库科技芯片产业园项目于广东省珠海市高新区开工奠基。当时的消息显示,项目将年产10万片铌酸锂芯片及高速调制器。

2020年7月29日,光库科技发布2020年创业板非公开发行A股股票募集说明书。说明书显示,本次非公开发行股票拟向不超过35名特定投资者发行不超过27,494,100股(含),拟募集资金7.1亿元用于铌酸锂高速调制器芯片研发及产业化项目及补充流动资金。

今年7月,光库科技在互动平台表示,本次募投项目基于建设期末完成项目的100%投产,实现年生产至少8万只LiNbO3(铌酸锂)调制器的能力。项目启动运营第一年完成基建;第二年完成装修工程和封装测试中心调试,并实现2万只器件封装测试生产能力;第三年开展研发中心新产品研发及芯片生产中心设备的安装调试,实现4万只器件的封装测试生产能力;第四年封装和测试中心达到8万只器件的封装测试生产能力;第五年完成芯片生产中心的投产。

(中国粉体网编辑整理/平安)

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(来源:集微网)


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